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台积电A14工艺传实现全球最小SRAM单元尺寸有望终结8年微缩技术停滞 台积电SRAM微缩技术传在停滞约8年后有望迎来突破。 自2020年N5(5纳米)工艺量产以来,其高密度6TSRAM存储单元的面积一直停留在约0.021平方微米,之后的N3、N2节点虽然在逻辑晶体管上持续迭代,存储单元尺寸却几乎原地踏步。 这一局面有望随着A14节点的到来被打破:台积电计划在2028年量产的A14工艺上,将高密度6TSRAM位单元面积缩小至0.017平方微米以下,降幅超过19%。 #其他

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