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消息称Groq正计划将3D堆叠式DRAM封装技术应用于下一代芯片 Groq正考虑将三维堆叠DRAM的封装技术应用于下一代芯片。 这意味着将使用DRAM替代现有的SRAM。 业内人士将此举解读为通过摆脱目前以SRAM为中心的芯片设计来大幅提升芯片容量。 据悉，SRAM速度快但容量有限，而DRAM速度相对较慢，但更适合实现大容量芯片。 3D封装技术将多个半导体芯片垂直堆叠而非平放，从而形成一个完整的芯片，与传统的2D封装相比，能够减小芯片表面积并提高能效。 #公司 #其他

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