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铭芯启睿首款1GbRRAM芯片完成流片,采用1T4R存储结构 10月14日,界面新闻获悉,铭芯启睿(MemSilicon)近日宣布完成基于1TnR技术路线的首代高密度、大容量RRAM芯片“泰山一号(MountTai2026)”流片,目前正推进芯片验证。 该芯片采用28nmCMOS工艺平台及1T4R存储结构,单芯片容量达1Gb,存储密度为30Mb/mm²,访问延时小于20ns,并集成片上硬件纠错电路。 据悉,1T4R结构通过一个选择晶体管连接四个阻变存储单元,以提高存储密度。 #其他

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