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台积电考虑制造3D DRAM新型存储芯片 全球最大芯片代工厂台积电开始考虑向存储制造领域延伸。据悉，台积电近期开始制定先进存储芯片生产计划，考虑制造一种名为 3D DRAM 的新型存储芯片。这一计划是应其最大客户英伟达的要求而启动的，旨在扩大台积电在AI硬件供应链中的业务份额。知情人士称，台积电正在评估新建工厂或收购现有半导体工厂并改造为存储芯片生产设施两种方案，目前尚未明确量产时间。该项目由负责台积电先进封装业务的副总裁徐国晋牵头。此次台积电考虑布局的3D DRAM，通过垂直堆叠存储单元提高存储密度，有望成为下一代DRAM技术的发展方向。 —— 财联社、彭博社

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